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松原 章浩; 西澤 章光*; 國分 陽子; 石丸 恒存
第24回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.59 - 62, 2011/07
日本原子力研究開発機構東濃地科学センターにおけるタンデム型加速器質量分析装置JAEA-AMS-TONO(NEC製15SDH-2ペレトロン最大電圧: 5.0MV)の装置技術に関する現状について報告する。報告内容は、おもに(1)静電アナライザー(以下、ECA)の電極電圧の低下による
C計数値の減少、(2)計数値に及ぼす電離箱の入射窓の口径の影響についてである。
構成イオンの空間配置と電荷の相関千葉 敦也; 齋藤 勇一; 鳴海 一雅; 山田 圭介; 金子 敏明*
第24回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.121 - 124, 2011/07
数MeVの高速クラスターイオンは薄膜の透過により解離して単原子イオンとなり、これを構成イオンと呼ぶ。構成イオンの平均電荷は同速度の単原子イオンのそれよりも小さくなる。この現象は、クラスター構成イオン間の遮蔽クーロン相互作用と構成イオンによって誘起される固体内電子の集団励起場に起因すると考えられる。構成イオンの後方に形成される集団励起場が近接する他の構成イオンの電荷へ及ぼす影響を調べるため、進行方向に配向したCイオンに対して、1対の構成イオンの空間配置(前方と後方)に対するそれぞれの電荷をイベントごとに測定した。その結果、後方のイオンの電荷の方が前方のそれよりも大きくなる傾向があること、そしてその傾向は、前方イオンの電荷が大きいほど強くなることがわかった。これは、前方のイオンの電荷が大きいほど誘起される集団励起場が大きくなり、後方イオンの周辺の電子密度がより高くなったことが影響していると考えられる。
甲 昭二; 木下 尚喜; 田中 孝幸; 桑原 潤; 関 武雄
第24回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.9 - 12, 2011/07
日本原子力研究開発機構青森研究開発センターに設置されているタンデトロン加速器質量分析装置(JAEA-AMS-MUTSU; High Voltage Engineering Europa製Model 4130-AMS)は、最大加速電圧3MVのタンデム型加速器に放射性炭素(C)及び放射性ヨウ素(
I)同位体比測定用のビームラインが取り付けられている。本発表では、平成22年度の運転及び維持管理状況について報告する。
宇野 定則; 千葉 敦也; 山田 圭介; 横山 彰人; 上松 敬; 北野 敏彦*; 高山 輝充*; 織茂 貴雄*; 金井 信二*; 青木 勇希*; et al.
第24回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.125 - 128, 2011/07
高崎量子応用研究所イオン照射研究施設(TIARA)の3台の静電加速器の年間運転時間は、平成12年以降からタンデム加速器で約2000時間、イオン注入装置で約1900時間、シングルエンド加速器で約2500時間の水準を保っており、平成23年3月末までの総運転時間は、各32995時間,30675時間,39231時間である。2011年3月の東日本大震災では、3台の加速器に損傷はなかったが、その後の東京電力による計画停電により通常運転が不可能となったため、平成22年度のマシンタイムは約9日間を中止した。タンデム加速器では、インジウム(In)の加速試験を行い、500nAのビーム電流が安定に発生できることを確認した。また、イオン注入装置では、ガドリニウム(Gd)の生成試験を行い、最大400nAビーム電流が得られることを確認して実験利用を開始した。
石井 保行; 大久保 猛; 神谷 富裕
第24回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.17 - 20, 2011/07
本研究では小型の集束イオンビーム形成装置の開発と、この装置を用いたガスイオンナノビームの形成を目的として、300keV小型ガスイオンナノビーム形成装置の開発を行っている。300keV小型ガスイオンナノビーム形成装置の開発では集束レンズとして機能する加速管の開発が重要である。今回、集束レンズとして機能させるため、短い、すなわち高い電場勾配を有し、かつ収差を低減するため、入口と出口の電極形状を工夫した加速管を設計した。これをもとに絶縁物に超高分子量ポリエチレンを使用し、5段,10cmで、300kVを印加できる加速管を開発した。さらに、実際に加速管単体で300kVを印加できることを実験で確認するとともに、二段加速レンズ系と組合せた状態でも印加試験を行い、装置全体を覆う絶縁物を工夫することで250kVを安定に印加できることがわかった。本研究会ではこれらの結果に関して発表を行うとともに、今後の予定に関しても言及する。
松田 誠; 長 明彦; 阿部 信市; 石崎 暢洋; 田山 豪一; 仲野谷 孝充; 株本 裕史; 中村 暢彦; 沓掛 健一; 乙川 義憲; et al.
第24回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.51 - 54, 2011/07
2011年3月11日に発生した東北太平洋沖地震によって東海タンデム加速器施設は震度6弱の揺れに襲われた。加速器は16.1MVで運転中であったが、インターロックにより自動停止した。幸い、SF
ガス及びHeガスの放出も発生せず、施設の大規模な損傷はなかった。タンク内の機器に甚大な被害は見られず一安心であったが、絶縁カラムを支持するカラムポストにひびや割れが確認された。地震の揺れの割に被害が小さかったのは、カラム全体が免震機構によって保護されていたおかげである。ビームラインでは、大型電磁石が数cm移動したり、真空ベローズが破壊されたりした箇所があった。被害の全容は調査段階であり完全には掴めていないが、確認された被災状況と現時点での復旧状況について報告する。
仲野谷 孝充; 長 明彦; 阿部 信市; 石崎 暢洋; 田山 豪一; 松田 誠; 株本 裕史; 中村 暢彦; 沓掛 健一; 乙川 義憲; et al.
no journal, ,
2010年度のタンデム加速器の運転日数は171日であった。利用されたイオン種は18元素(26核種)で、炭素,酸素,フッ素,キセノンで利用日数の半分以上を占めた。電圧コンディショニングが順調に進んだ結果、加速電圧は当施設利用開始以来の最高の18.5MVに達した。一方、トラブル事例では、ターミナルイオン源ガス配管からの微少リークによるSF6ガスのイオン源内部への混入や、新規の電荷運搬チェーンの使用に伴う大量のプラスチックダスト発生などがあった。
平尾 敏雄; 小野田 忍; 牧野 高紘; 高橋 芳浩*; 竹安 秀徳*; 岡崎 勇志*; 阿保 智*; 増田 直之*; 高井 幹夫*; 大島 武
no journal, ,
高度化LSIの中心となるSRAMやDRAM等のメモリ素子に放射線が入射した場合、記憶状態の反転(Single Event Upset: SEU)による誤動作が発生する。このような問題を解決するものとしてSOI(Silicon on Insulator)デバイスが注目されている。本研究では、SOIデバイスの放射線影響を評価するため、基本構造素子としてSOI-pn接合ダイオード、さらに実デバイスとして90nmノードSOI-SRAMを用いて、炭素及び酸素の重イオンマイクロビーム照射による収集電荷挙動及びソフトエラー発生挙動について評価を行った。基本素子における重イオン照射誘起電流を解析した結果、イオン入射により発生する変位電流量は半導体表面の空乏層幅により制御可能であることなどを明らかにした。さらに実デバイスにおいては、SOIボディでの電荷発生量がクリティカルチャージより少ない場合には、各MOSFET側面のボディ電極と引き抜きパッドの距離によりソフトエラー発生率が異なること、また電荷発生量がクリティカルチャージより多い場合には、距離に関係なく発生率が一定となることを明らかとした。